[股市360]凯侠发布Twin BiCS新技术 PLC闪存越来越近了

浏览次数:收录时间:2020-11-22 13:18
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  作为NADN闪存技术的发明者,凯侠(原来的东芝存储)在新一代闪存研发上再次甩开对手,率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术,有望成为PLC闪存的最佳搭档。

  随着3D闪存以及TLC、QLC闪存的普及,大容量SSD硬盘已经成为被桌面、笔记本及数据中心市场广为接受。为了进一步提高SSD容量、降低成本,闪存厂商开始推100+层堆栈的3D闪存,但是层数越多,制造难度也会增加,而且还要在每个单元内容纳更多的存储电位,挑战很大。

  凯侠推出的Twin BiCS闪存是全球首个3D半圆形分裂浮栅极闪存单元,从这个比较拗口的专业名词中可以看出它使用的技术主要有半圆形、分裂、浮栅极,简单来说就是将传统的浮栅极分裂为两个对称的半圆形栅极,利用曲率效应提高闪存P/E编程/擦除过程中的性能。

凯侠发布Twin

Twin BiCS闪存的P/E操作性能对比

  虽然新型闪存中也有BiCS的字样,但是现在的BiCS闪存是基于CTP电荷捕捉原理的,在进入3D闪存时代之后,几乎所有闪存厂商都转向了制造更简单的CTP技术而放弃了FG浮栅极技术,最后坚持的两家厂商中——美光在96层闪存之后也会放弃浮栅极技术,只有Intel还在坚持FG浮栅极技术,后者性能、可靠性更好,但是制造工艺复杂。

  东芝的Twin BiCS闪存技术现在又回到了浮栅极技术路线上来了,未来有可能改变全球闪存技术的走向。

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  对于Twin BiCS闪存技术来说,优点还有一个,那就是分裂浮栅极减少了物理尺寸,使得使得同样的单元里可以容纳更多的电位——直白点说就是,Twin BiCS闪存也给QLC之后的PLC闪存铺平了道路。




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